20世纪 60年代 中期 ，半导体基 片抛 光大部分沿用机械抛光 ，所得 的镜面表面损伤极其严重。1965年提出 Si02溶胶和凝胶抛光后 ，以 SiO2为代表的化学机械抛光(CMP)I艺技术 逐渐代替传统的机械抛光。 自 1996年以来 ，随着 电子工业的发展，作为硅晶片抛光液的原 料硅溶胶的需求量激增。所谓抛光剂由 SiO2粉体 、水、分散稳定剂 、润湿调节剂 、pH调节 剂和表面处理剂组成 ，Si02的质量分数 高可达 60％，产品的粘度<0．1Pa．S，重力沉降性能 为 1a以上 ，是 一种性 能优 良的 CMP技术用 的抛 光材料 ，能用于硅片的粗抛 和精抛 ，以及 Ic 加工过程 ，特别适用于大规模集成电路多层化薄膜的平坦化加工 ，也可用于晶圆的后道 CMP清洗等半导体器件 、平面显示器 、多晶化模组 、微电机系统 、光导摄像管等的加工过 程 。