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抛光剂中的应用

Application of the polish

 20世纪 60年代 中期 ,半导体基 片抛 光大部分沿用机械抛光 ,所得 的镜面表面损伤极其严重。1965年提出 Si02溶胶和凝胶抛光后 ,以 SiO2为代表的化学机械抛光(CMP)I艺技术 逐渐代替传统的机械抛光。 自 1996年以来 ,随着 电子工业的发展,作为硅晶片抛光液的原 料硅溶胶的需求量激增。所谓抛光剂由 SiO2粉体 、水、分散稳定剂 、润湿调节剂 、pH调节 剂和表面处理剂组成 ,Si02的质量分数最高可达 60%,产品的粘度<0.1Pa.S,重力沉降性能 为 1a以上 ,是 一种性 能优 良的 CMP技术用 的抛 光材料 ,能用于硅片的粗抛 和精抛 ,以及 Ic 加工过程 ,特别适用于大规模集成电路多层化薄膜的平坦化加工 ,也可用于晶圆的后道 CMP清洗等半导体器件 、平面显示器 、多晶化模组 、微电机系统 、光导摄像管等的加工过 程 。